PVD工藝基本方法：真空蒸發(fā)、濺射、離子鍍（空心陰極離子鍍、熱陰極離子鍍、電弧離子鍍、活性反應(yīng)離子鍍、射頻離子鍍、直流放電離子鍍），以下介紹幾種常用的方法。

電子束蒸發(fā)

電子束蒸發(fā)是利用聚焦成束的電子束來(lái)加熱蒸發(fā)源，使其蒸發(fā)并沉積在基片表面而形成薄膜。

特征：真空環(huán)境；蒸發(fā)源材料需加熱熔化；基底材料也在較高溫度中；用磁場(chǎng)控制蒸發(fā)的氣體，從而控制生成鍍膜的厚度。

濺射沉積

濺射是與氣體輝光放電相聯(lián)系的一種薄膜沉積技術(shù)。濺射的方法很多，有直流濺射、RF濺射和反應(yīng)濺射等，而用得較多的是磁控濺射、中頻濺射、直流濺射、RF濺射和離子束濺射。

特征：在真空室內(nèi)充入放電所需要的惰性氣體(如氬氣)，在高壓電場(chǎng)作用下氣體分子因電離而產(chǎn)生大量正離子。帶電離子被強(qiáng)電場(chǎng)加速，便形成高能量的離子流轟擊蒸發(fā)源材料(稱為靶)。在離子轟擊下，蒸發(fā)源材料的原子將離開(kāi)固體表面，以高速度濺射到基片上并沉積成薄膜。

RF(射頻)濺射

RF濺射使用的頻率約為13.56MHz，它不需要熱陰極，能在較低的氣壓和較低的電壓下進(jìn)行濺射。RF濺射不僅可以沉積金屬膜，而且可以沉積多種材料的絕緣介質(zhì)膜，因而使用范圍較廣。

電弧離子鍍

陰極弧技術(shù)是在真空條件下，通過(guò)低電壓和高電流將靶材離化成離子狀態(tài)，從而完成薄膜材料的沉積，該技術(shù)材料的離化率更高，薄膜性能更加優(yōu)異。

過(guò)濾陰極弧

過(guò)濾陰極電弧(FCA )配有高效的電磁過(guò)濾系統(tǒng)，可將弧源產(chǎn)生的等離子體中的宏觀大顆粒過(guò)濾掉， 因此制備的薄膜非常致密和平整光滑，具有抗腐蝕性能好，與機(jī)體的結(jié)合力很強(qiáng)。

離子束

離子束加工是在真空條件下，先由電子槍產(chǎn)生電子束，再引入已抽成真空且充滿惰性氣體之電離室中，使低壓惰性氣體離子化。由負(fù)極引出陽(yáng)離子又經(jīng)加速、集束等步驟，獲得具有一定速度的離子投射到材料表面，產(chǎn)生濺射效應(yīng)和注入效應(yīng)。由于離子帶正電荷，其質(zhì)量比電子大數(shù)千、數(shù)萬(wàn)倍，所以離子束比電子束具有更大的撞擊動(dòng)能，是靠微觀的機(jī)械撞擊能量來(lái)加工的。